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이재용 부회장 "반도체에 인류사회 공헌 꿈 담자"

삼성전자의 첫 EUV 전용 'V1 라인' 방문...차세대 파운드리 제품 주력

박상효 기자 (s0565@ebn.co.kr)

등록 : 2020-02-20 13:47

▲ 삼성전자, 화성사업장 ' V1 라인' 전경.
이재용 삼성전자 부회장은 20일 화성사업장을 찾아 올해 2월부터 본격 가동을 시작한 EUV 전용 반도체 생산라인을 직접 살펴보고 임직원들을 격려했다.

이 부회장이 방문한 'V1 라인'은 삼성전자의 첫 EUV 전용 라인으로 최근 본격적으로 7나노 이하 반도체 생산에 돌입했으며, 앞으로 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

EUV는 파장이 짧은 극자외선 광원을 사용해 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로, 불화아르곤(ArF)을 이용한 기존 기술보다 세밀한 회로 구현이 가능해 고성능·저전력 반도체를 만드는데 필수적이다.

이 부회장은 "지난해 우리는 이 자리에 시스템반도체 세계 1등의 비전을 심었고, 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"면서 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 말했다.

삼성전자는 지난해 '반도체 비전 2030'을 발표하고 시스템반도체에 133조원 투자 및 1만 5000명 채용, 생태계 육성 지원방안 등을 밝힌 바 있다.

앞서 이재용 부회장은 새해 첫 행보로도 화성사업장을 찾았다.

이 부회장은 지난 1월 2일 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate- All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며, 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.