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삼성전자, EUV 전용 '화성 반도체 V1 라인' 가동

초미세 7나노 및 GAA 구조 3나노 이하 차세대 파운드리 주력 생산
EUV 적용 '5나노 공정' 설계 완료…"중소 팹리스 업체와 상생협력"

손병문 기자 (moon@ebn.co.kr)

등록 : 2020-02-21 09:32

▲ 삼성전자 반도체 화성사업장

삼성전자가 화성사업장에 반도체 미래를 이끌 최첨단 EUV(Extreme Ultra Violet·극자외선) 전용 라인(V1)을 본격 가동한다. '반도체 비전 2030' 달성에 한 발 다가섰다는 평가다.

21일 삼성전자에 따르면 V1 라인에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노부터 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력 생산한다.

'V1 라인'은 5G·AI·자율주행 등 4차 산업혁명 시대를 가속화하는 차세대 반도체 생산 핵심기지로 구축됐다. 삼성전자의 첫 번째 EUV 전용 라인으로 2018년 초 건설을 시작해 작년 하반기 완공됐다.

올해까지 누적 투자 금액은 60억 달러(7조2000억원). V1 라인 가동으로 올해 말 기준 7나노 이하 제품 생산 규모는 전년대비 3배 이상 확대될 전망이다.

EUV 노광 기술은 짧은 파장의 극자외선으로 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 7나노 이하 초미세 공정을 구현할 수 있다. 대용량 정보를 처리하는 고성능 저전력 반도체를 만드는데 필수 기술이다.

또한 EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄일 수 있다. 성능과 수율이 향상되고 출시 기간도 단축된다.

삼성전자는 2019년 4월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 SoC 제품을 출하한 데 이어 작년 하반기부터 6나노 제품 양산을 시작했다. 5나노 공정은 제품 설계를 완료한 상태다. 4나노 공정은 올해 상반기 공정 개발을 마치고, 하반기 제품 설계를 마무리 지을 계획이다.

삼성전자는 최첨단 공정 기술을 바탕으로 퀄컴·바이두 등 대형 팹리스(Fabless·반도체 회로 설계) 기업과 협력을 추진한다. 모바일부터 HPC(High Performance Computing) 분야까지 파운드리 영역을 확대한다는 전략이다.

삼성전자 관계자는 "시스템반도체 산업 생태계 강화를 위한 SAFE 프로그램 등을 통해 국내 중소 팹리스 반도체 업체들과 상생 협력을 추진 중"이라며 "중소 팹리스 업체의 개발 활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer) 프로그램을 공정당 연간 3~4회로 확대 운영해 더 많은 기회를 제공할 것"이라고 말했다.

'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)'는 삼성 파운드리와 에코시스템 파트너 및고객 사이의 협력을 강화함으로써 제품을 효과적으로 설계하도록 돕는 프로그램이다.