삼성전자는 미국 스탠퍼드 대학과 공동연구한 ´탄소나노튜브 트랜지스터 제조공정 개선´ 프로젝트가 국제학술지 ´사이언스´ 7월호에 소개됐다고 9일 밝혔다.
삼성전자 종합기술원과 스탠퍼드대 제난 바오(Zhenan Bao) 교수팀은 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조할 때 ´분리, 위치제어, 배열´ 등 기존 3단계 공정을 한 번의 공정으로 일원화했다고 삼성전자는 전했다.
탄소나노튜브(CNT)는 전기 전도도가 구리보다 1천배 이상 높은 꿈의 신소재로 디스플레이 구동소자와 고집적 메모리 소자 등에 응용되고 있다.
삼성전자 관계자는 "스탠퍼드 대학과 협력을 더욱 강화해 탄소나노튜브를 플렉서블 디스플레이, 저가격 LCD용 구동 소자, 센서 소자, 태양전지용 투명전극 등에도 확대 적용할 계획"이라고 말했다.(서울=연합뉴스)
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