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SK하이닉스, 대기전력 소모 줄인 모바일 D램 출시

  • 송고 2012.09.12 11:17 | 수정 2012.09.12 14:12

기존 PC용 DDR3L D램 대비 대기전력 70% 절감 효과

SK하이닉스가 출시한 2Gb DDR3L-RS(좌측) 및 4Gb DDR3L-RS(좌측) 단품. ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 출시한 2Gb DDR3L-RS(좌측) 및 4Gb DDR3L-RS(좌측) 단품. ⓒSK하이닉스

SK하이닉스는 대기시 전력소모를 획기적으로 줄인 모바일 기기용 20나노급 DDR3L-RS(Reduced Standby) D램을 출시한다고 12일 밝혔다.

이 제품은 ▲D램 패키지를 바로 시스템에 부착할 수 있는 온보드(On-board)용 2기가비트(Gb), 4Gb, 8Gb 단품 ▲2기가바이트(GB), 4GB, 8GB 노트북용 모듈(SO-DIMM) 형태로 함께 출시된다.

온보드용 단품을 통해 얇은 두께의 기기에서도 고객이 원하는 다양한 용량의 메모리를 구현할 수 있으며, 노트북용 모듈도 함께 출시해 각종 모바일 제품에 적합한 토탈 메모리솔루션을 제공하게 된다.

DDR3 D램은 초기에 동작전압 1.5V 제품 위주였으나, 최근에는 동작전압을 1.35V로 낮춰 전력소모를 10%가량 줄인 DDR3L 제품이 시장의 주력으로 자리잡고 있다.

이번에 출시하는 20나노급 DDR3L-RS 제품은 시장의 주력인 DDR3L 제품의 성능을 유지하면서 ▲20나노급 기술 적용에 따른 전류 감소 ▲D램의 온도에 따라 동작시 대기전류를 효율적으로 제어하는 기술을 통해 기존 30나노급 DDR3L 제품대비 70% 가량 전력소모를 줄인 것이 특징이다.

이 제품은 휴대성과 저전력 특성이 강조되는 울트라북 및 태블릿PC 시장에서 최적의 메모리솔루션으로 성장하게 될 것으로 기대되고 있다.
특히, 모바일 D램인 LPDDR3 대비 가격이 저렴하면서 기존 PC용 제품인 DDR3L보다 대기전력이 획기적으로 줄어들어 양쪽의 장점을 혼합한 새로운 메모리 영역을 창출할 수 있게 됐다.

SK하이닉스는 이러한 DDR3와 LPDDR3의 중간단계 제품을 통해 중저가 울트라북 및 태블릿PC와 같은 신규시장을 집중 공략하고, 이를 통해 새로운 시장 창출을 통한 점유율 확대 등 모바일 시장을 선도한다는 계획이다.

한편, SK하이닉스는 지난 11일부터 오는 13일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 인텔 개발자 포럼(IDF, Intel Developer Forum)에서 모바일 기기의 AOAC(Always On Always Connected) 환경에 적합한 메모리 솔루션에 대한 발표를 할 예정이다. 이 발표에서 저전력 소모와 빠른 데이터 처리속도를 가진 DDR3L-RS에 대한 부분도 강조될 전망이다.

김지범 SK하이닉스 마케팅본부장 전무는 “이번 20나노급 DDR3L-RS 제품 군의 성공적인 출시를 통해 고객의 기대를 뛰어넘는 저전력과 가격경쟁력을 갖춘 제품을 제공할 수 있게 됐으며 향후 이 제품이 모바일 D램과 PC용 D램의 장점을 혼합한 새로운 메모리 영역으로써 중저가 울트라북과 태블릿PC 대상으로 최적의 메모리 솔루션을 제공하게 될 것”이라고 밝혔다.

시장조사기관 아이서플라이(iSuppli)에 따르면, 전체 노트북 시장에서 울트라북이 차지하는 비중은 2012년 11%에서 2014년 39%까지 확대된 후 2015년에는 절반이 넘는 52% 가량을 차지할 것으로 전망하고 있다.[이광표 기자]


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