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삼성전자, 미국서 파운드리 포럼…10나노 3세대 공정 공개

  • 송고 2016.11.03 10:10 | 수정 2016.11.03 10:23
  • 문은혜 기자 (mooneh@ebn.co.kr)

면적 줄고 성능은 동일…7나노 EUV 개발현황도 공개

삼성전자가 미국에서 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술인 10나노미터(nm·10억분의 1m) 3세대 공정을 공개했다.

삼성전자는 3일 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 고객사와 파트너사를 대상으로 '삼성 파운드리 포럼'을 열었다.

앞서 지난달 글로벌 반도체 업계 최초로 10나노 로직의 공정 양산을 시작한 삼성전자는 이번 포럼에서 14나노와 10나노 LPU(Low Power Ultimate) 파운드리 공정 확대 계획을 밝혔다.

14나노 4세대 공정인 14LPU는 3세대 LPC(Low Power Compact) 공정과 같은 전력으로 사용하면서도 성능은 더 좋다. 또 3세대 10나노 공정인 10LPU는 이전 세대 공정인 LPE(Low Power Early)와 LPP(Low Power Performance)와 같은 성능을 유지하면서도 면적을 줄였다.

이와 함께 삼성전자는 7나노 EUV 웨이퍼 및 EUV 공정 개발 현황도 공개했다.

파운드리 최대 경쟁업체인 대만의 TSMC 등이 7나노 공정을 본격화하겠다고 밝힌 가운데 삼성전자가 7나노 기술을 전격 공개한 것.

다만 업계는 초기 비용 등을 고려했을때 삼성전자가 당장 7나노에 진입하기보다 10나노 기술을 장기적으로 가져가는 전략을 택할 것으로 전망하고 있다.


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