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홍성주 SK하이닉스 부사장 "EUV 개발·빅데이터 활용해야"

3D 낸드 단 높게 쌓을수록 식각 속도 느려져…"물리적 한계"
빅데이터 연결 장비, 연관공정 매치로 일드 개선 기대

최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

등록 : 2017-02-08 13:12

▲ ⓒSEMI

반도체 스케일링이 한계에 다다르면서 미세공정을 뛰어넘을 새로운 대안 기술을 모색할 시점이라는 지적이 나왔다.

홍성주 SK하이닉스 부사장은 8일~10일간 서울 강남구 코엑스에서 열리는 '제30회 세미콘코리아' 기조연설에서 반도체산업이 거쳐온 기술 발전의 단계를 설명했다. 그는 '하드 스케일링' 시대를 맞이했다고 말했다.

반도체업계는 D램은 물론 낸드플래시도 미세공정의 한계를 체감하는 과정이다. 낸드는 이미 평면에서 미세화하는 것을 포기하고 3D낸드로 눈을 돌리는 추세다.

홍성주 부사장은 "3D 낸드는 24단, 48단에 이어 64단이 양산되고 있다"며 "그러나 단이 많이 쌓일수록 식각 속도가 느려지는 것이 문제점"이라고 지적했다.

이런 문제점을 극복하기 위해 반도체업계는 다양한 기술을 개발 중이다. 홍성주 부사장은 여러 가지 기술 중 극자외선노광장비(EUV) 개발의 필요성을 강조했다.

홍 부사장은 "산업 초기에는 수은등을 사용했는데 공정이 미세화함에 따라 기술도 발전해왔다"며 "EUV가 개발되지 않으면 지금보다 복잡한 과정을 거쳐야되기 때문에 업계가 어려움을 겪게 될 것"이라고 설명했다.

패턴사이즈가 작아지면서 기존 문제가 되지 않았던 점들도 부각됐다. 홍성주 부사장은 "웨이퍼 엣지와 센터는 공정조건이 다른데 과거에는 큰 차이가 없었지만 패턴이 작아지면서 차이가 심해졌다"며 "이를 유지해주는 공정도 개발돼야 할 것"이라고 말했다.

빅데이터 시대를 맞아 반도체 공정을 위한 장비들이 연결되는 점은 긍정적이다. 홍 부사장은 "모든 장비가 연결되면 데이터가 한 곳에 모이고 연관공정을 매칭시켜 수율을 개선할 수 있다"며 "빅데이터를 적극 활용하려는 시도가 필요하다"고 말했다.