2024 | 03 | 29
10.1℃
코스피 2,748.87 3.05(0.11%)
코스닥 907.22 2.83(-0.31%)
USD$ 1346.0 -5.0
EUR€ 1450.6 -7.0
JPY¥ 889.7 -2.8
CNY¥ 185.5 -0.6
BTC 100,042,000 360,000(0.36%)
ETH 5,066,000 28,000(0.56%)
XRP 882.1 6.5(0.74%)
BCH 820,000 41,500(5.33%)
EOS 1,603 101(6.72%)
  • 공유

  • 인쇄

  • 텍스트 축소
  • 확대
  • url
    복사

정은승 삼성 반도체연구소장 "시스템반도체 2030년까지 성장세"

  • 송고 2017.02.15 10:55 | 수정 2017.02.15 11:02
  • 최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

신물질·장비·물리적 구조 연구 지속돼야

"반도체 기술 발전 우리 삶 윤택하게 만드는 길"

ⓒ삼성전자

ⓒ삼성전자

정은승 삼성전자 반도체연구소장이 15일까지 열리는 '제24회 한국반도체학술대회' 기조연설에서 "시스템반도체는 2030년까지 회로 선폭이 축소될 것"이라고 예측했다.

정 소장은 현재 보유한 기술로는 이론적으로 1.5나노까지 시스템반도체 회로 선폭을 좁힐 수 있다고 설명했다. 현재 상용화 직전 단계에 근접한 극자외선(EUV)을 이용하면 7나노의 벽을 넘을 수 있을 전망이다. 이후에는 어떤 재료를 사용하느냐의 문제가 남게 된다.

정 소장은 "새로운 소자 구조와 물질이 개발되지 않을경우 2021년경에는 선폭 축소가 어려워질 수 있다"며 "미세공정의 한계는 신물질에 대한 개발로 극복할 필요가 있다"는 의견을 제시했다.

이어 "신물질과 장비, 물리적 구조 연구를 가속하면 2030년까지 실리콘 기반 시스템반도체는 계혹해서 발전해 나갈 것"이라고 분석했다.

또한 반도체 미세공정의 한계를 극복하기 위해서는 기능을 합치는 것 뿐만 아니라 크기를 작게 하면서도 많은 걸 할 수 있어야 한다고 강조했다.

D램은 전하를 저장하는 커패시터 구현의 어려움으로 인해 10나노대에서 기술 장벽에 가로막혀있다. 현재 삼성전자의 최신 D램 기술은 18나노 노드다. 정 부사장은 D램 회로 선폭을 줄이기 위해서도 신물질 개발이 필요하다고 지적했다. 어떤 물질을 사용할지는 찾고 있는 단계다.

기술 발전에 대한 필요성과 더불어 차세대 메모리, 이미지 센서에 대한 설명도 이어졌다. 현재 연구개발이 진행되고 있는 STT-M램은 양산이 시작될 경우 시스템온칩(SoC)에 삽입되는 형태로 상용화가 이뤄질 전망이다. 이미지센서는 3단 적층 CIS가 탑재돼 초고속 촬영이 가능해지며 빠르게 움직이는 피사체를 촬영하기 용이해질 것으로 예상된다.

끝으로 정 소장은 "반도체 기술 발전은 우리 삶을 윤택하게 만드는 길"이라며 "관련된 여러 학문에 많은 학생들이 관심을 갖고 공부할 수 있도록 환경이 갖춰지면 좋겠다"는 바람을 드러냈다. 이어 "삼성전자도 다양한 방면으로 반도체 산업에 이바지할 수 있도록 힘쓰겠다"고 덧붙였다.


©(주) EBN 무단전재 및 재배포 금지

전체 댓글 0

로그인 후 댓글을 작성하실 수 있습니다.

시황

코스피

코스닥

환율

KOSPI 2,748.87 3.05(0.11)

코인시세

비트코인

이더리움

리플

비트코인캐시

이오스

시세제공

업비트

03.29 14:35

100,042,000

▲ 360,000 (0.36%)

빗썸

03.29 14:35

100,004,000

▲ 472,000 (0.47%)

코빗

03.29 14:35

100,013,000

▲ 342,000 (0.34%)

등락률 : 24시간 기준 (단위: 원)

서울미디어홀딩스

패밀리미디어 실시간 뉴스

EBN 미래를 보는 경제신문