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반도체 7나노 시대 도래할까? 삼성·인텔 등 경쟁 가속

  • 송고 2017.02.15 14:49 | 수정 2017.02.15 16:49
  • 최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

삼성전자, 국제반도체기술학회서 EUV 이용 7나노 S램 발표

인텔 애리조나 공장 7나노 양산 계획·TSMC "현존 기술 활용"

스냅드래곤835.

스냅드래곤835.

차세대 기술로 꼽히는 7나노 공정을 둘러싼 반도체 업체들의 경쟁이 치열한 양상이다. 인텔과 삼성전자는 물론 파운드리업체인 TSMC도 7나노 개발 계획을 발표하며 시장 선점을 노리고 있다.

15일 전자업계에 따르면 삼성과 TSMC는 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체기술학회에서 7나노 공정을 적용한 S램을 발표하며 신기술 확보 경쟁을 펼쳤다.

삼성전자의 7나노 S램은 빛의 파장이 13.5나노미터인 극자외선노광장비(EUV)를 이용한다는 계획이다. 파장이 짧은 EUV를 사용하면 한번에 미세한 회로 패턴을 그려넣을 수 있다. 여러 차례 그려넣지 않아도 되기 때문에 S램의 셀 면적도 줄어들게되며 줄어든 면적 덕분에 전력 소비량은 낮아진다.

통상 S램이 개발되면 같은 공정의 시스템반도체가 양산에 들어가기 때문에 또 한번의 기술 혁신이 기대되는 상황이다.

삼성전자는 7나노 개발 계획과 더불어 지난해에는 미국 텍사스주의 오스틴공장에 대한 추가 투자도 발표한 바 있다. 총 10억달러가 투자될 예정이며 모바일용 애플리케이션 프로세서와 시스템온칩 등의 수요를 맞추기 위해서다.

글로벌 1위 파운드리업체(반도체 위탁생산)인 대만의 TSMC는 현존하는 기술을 활용한다고 밝혔다. 추가 신기술 개발이 필요 없는 만큼 삼성전자와 인텔에 앞서 양산에 들어갈 수도 있다는 관측이 나오는 이유다.

또한 지난해에는 7나노를 넘어 5나노 및 3나노 로직공정이 적용되는 신규 공장을 대만 남부 카오슝에 지을 계획을 공표하기도 했다.

그러나 업계에서는 EUV를 사용하지 않는 TSMC가 기선제압을 위해 개발 계획을 발표하기는 했지만 실제로 양산에 들어갈 수 있을지는 불확실한 것으로 보고 있다. 현재의 기술을 활용할 경우 미세공정은 한계를 보일 수밖에 없으며 삼성전자가 EUV를 내세운 것도 기술의 한계를 극복하기 위해서다.

같은 맥락에서 반도체업계 1위를 달리고 있는 인텔도 EUV에 기대를 걸고 있다. 또한 인텔은 70억달러를 투자해 3~4년 내 완공 예정인 미국 애리조나 공장에서 7나노 반도체를 생산할 계획이다.

시스템 반도체 부문에서 경쟁사보다 빨리 앞선 기술을 선보이는 것은 시장 선점에 상당히 유리하게 작용한다. 앞서 지난 10나노 전쟁에서는 삼성전자가 세계 최초 양산에 성공하며 미국 퀄컴의 스냅드래곤835 전량을 생산한 바 있다.

업계 관계자는 "7나노는 미래의 기술이기 때문에 어떤 방법이 더 효율적인지는 아직 평가할 수 없는 단계"라며 "보다 앞선 기술을 확보하기 위한 경쟁은 앞으로도 계속될 것"이라고 말했다.


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