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알에프에이치아이씨, 오는 8월 스팩합병 상장 예정

  • 송고 2017.05.29 09:22 | 수정 2017.05.29 09:23
  • 이송렬 기자 (yisr0203@ebn.co.kr)

1999년 설립 통신장비용 반도체 전문기업

오는 7월 합병 승인 위한 주총 개최 예정

통신장비용 반도체 전문기업인 알에프에이치아이씨가 오는 8월 말 엔에이치스팩8호와의 합병 통해 코스닥 시장에 상장한다.

29일 알에프에이치아이씨와 NH스팩8호는 한국거래소와 금융감독원에 지난 26일 증권신고서를 제출하고 본격적인 합병절차에 들어간다고 밝혔다.

알에프에이치아이씨는 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산하는 업체로 지난 1999년 설립됐다.

알에프에이치아이씨는 우수한 성능을 보유했으나 높은 가격 때문에 인공위성 및 방산 등 제한된 용도로 사용되던 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN을 통신용으로 대량 양산, 적용해 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 LDMOS 소재와 경쟁 할 수 있는 체제를 구축했다.

끊임 없는 투자의 결실로 지난 2014년 세계 1위 통신장비업체 화웨이와 거래를 시작했으며 기존 거래처인 삼성전자를 비롯해 노키아, 에릭슨 등 글로벌 통신업체들과의 매출 확대도 기대된다.

알에프에이치아이씨는 통신부문에서 획득한 노하우를 바탕으로 방산부문으로 진출, 사업 영역을 확대하고 있다.

국내 방산업체인 LIG넥스원 및 글로벌 방산업체인 Lockheed Martin, BAE Systems, Raytheon, Airbus Defense, Harris 등 다양한 기업에 업체등록을 완료했다. 군사용 레이더 시스템 시장에 가격경쟁력을 지닌 제품을 공급, 시장을 빠르게 장악한다는 계획이다.

알에프에이치아이씨 관계자는 "2~3년 내 벌어질 5G 시대에는 고주파, 광대역, 고효율을 요구하기 때문에 이전보다 더 난이도 높은 기술이 필요하다"고 말했다.

이어 "이에 대비 하기 위해 시장을 선도할 수 있는 GaN 제품을 지속 개발해 경쟁자와의 기술 격차를 확대할 수 있는 미래 신소재(GaN on Diamond)를 활용한 제품 개발 등에 합병유입자금을 사용할 계획"이라고 밝혔다.

증권신고서에 따르면 NH스팩8호의 합병가액은 2,000원, 합병비율은 1:8.7180000다. 양사는 7월 14일 합병승인을 위한 주주총회를 개최할 예정이며 이후 주식매수청구 기간을 거쳐 8월말 합병신주가 상장될 예정이다.


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