삼성전자, 낸드플래시 1위 굳히기 '신호탄'

송고 2017.06.16 10:35 | 수정 2017.06.16 10:40
최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

세계 최대 규모 반도체 생산라인 '평택캠퍼스'서 64단 양산

삼성전자 1분기 낸드시장 점유율 35.4%…"적층 한계 극복"

ⓒ삼성전자

삼성전자가 경쟁사들 대비 앞서나가는 3D 낸드 적층 기술력으로 시장 점유율을 확대하며 낸드플래시 시장 1위 굳히기에 나섰다.

삼성전자는 낸드 시장 점유율 확대를 위해 이달 말 가동을 앞둔 평택공장에서 4세대(64단) V낸드를 집중 생산할 계획이다 또한 평택공장 본격 가동을 앞두고 4세대 낸드플래시 라인업을 확장했다.

16일 전자업계에 따르면 삼성전자는 16조원을 투자한 경기도 평택의 반도체 공장을 별도의 준공식 없이 이달 말 본격적인 가동에 들어간다.

평택공장은 삼성전자가 경기도 기흥과 화성에 이어 국내에 세운 3번째 반도체 라인이다. 전체 사업장 규모는 화성사업장의 2배에 가까운 283만㎡에 달한다. 지난 2015년 5월 기공식 후 2년 1개월 만에 가동에 들어가게 된다.

복층 구조로 설계된 평택공장의 생산량은 월 20~30만장 규모로 추정된다. 삼성전자는 우선 1층 4만장을 시작으로 시황에 따라 생산 설비를 추가로 들여놓을 계획이다.

평택공장의 완공으로 경기도는 기흥과 화성, 평택을 잇는 반도체 클러스터로 떠올랐다. 삼성전자는 평택캠퍼스에서 지난해 양산에 들어간 64단 V낸드를 주력 생산할 계획이다. 이를 통해 64단 낸드의 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 고객 수요 증가에 대응한다는 전략을 짰다.

◆64단 3D낸드 라인업 확장…"적층 기술 한계 극복"
64단 낸드에 주력할 평택공장 본격 가동을 앞두고 삼성전자는 4세대 V낸드의 라인업을 확장한다고 발표했다.

삼성전자는 지난 1월 글로벌 B2B(기업 간 거래) 기업들에게 공급을 시작한 4세대 256Gb(기가비트) V낸드 기반 SSD에 이어 소비자용 SSD, 메모리카드 등에도 4세대 V낸드를 확대한다.

삼성전자는 4세대 V낸드의 설계와 구조, 공정을 모두 혁신해 적층 기술의 한계를 극복했다는 설명이다. 단수가 높아질수록 구조가 틀어지거나 셀 특성 차이가 생기는 등 적층 기술은 물리적 한계가 있다.

한계 극복을 위해 삼성전자는 초고집적 셀 구조·공정 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성했다. 초고속 동작 회로 설계는 3세대 대비 셀에 데이터를 기록하는 속도가 1.5배 빨라지게 했다. 원자단위로 제어할 수 있는 CTF 박마근 셀 크기를 줄이면서 쓰기와 지우기 특성 수명을 높였다. 신뢰성도 3세대 대비 20% 향상됐다.

삼성전자는 64단 3D낸드 확대로 시장 선도자 지위를 확고히 할 수 있을 것으로 내다봤다. 특히 3D 기술로의 전환 과정이 업계 예상보다 늦어지고 있어 삼성전자의 독주는 당분간 지속될 전망이다. 삼성전자는 다음 세대 V낸드로 96단 3D낸드를 개발 중인 것으로 알려졌다.

올해 1분기 글로벌 낸드플래시 시장에서 삼성전자는 35.4%를 점유하며 압도적인 1위를 기록했다. 웨스턴 디지털은 도시바를 제치고 2위로 올라섰으나 점유율은 17.9%로 20%에 미치지 못한다. 뒤를 이어 도시바와 마이크론, SK하이닉스는 각각 16.5%, 11.9%, 11%를 점유했다.

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