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삼성전자, '1Tb V낸드 SSD' 美서 차세대 솔루션 공개

고집적 'NGSFF SSD', 고성능 'Z-SSD', 신개념 'Key Value SSD' 선봬
진교영 메모리사업부장 "AI 및 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요 대응"

손병문 기자 (moon@ebn.co.kr)

등록 : 2017-08-09 07:42

▲ 삼성전자가 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit) 2017'에서
세계 최대 용량 1Tb V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다 [제공=삼성전자]

삼성전자는 8일(현지시각) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션 등을 선보였다.

이 행사는 매년 미국에서 열리는 세계 최대 규모 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.

삼성전자는 행사에서 △세계 최대 용량의 '1Tb V낸드' △서버 시스템 집적도를 향상시킬 수 있는 ' NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD' △기존 SSD보다 성능을 획기적으로 개선한 'Z-SSD' △신개념 데이터 저장방식 적용 'Key Value SSD' 등 V낸드 기반 혁신기술을 공개했다.

특히 삼성전자는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)' 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 '1Tb 낸드'를 공개했다. '1Tb 낸드'는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있다. 삼성은 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 내년 중 출시할 계획이다.

또한 삼성전자는 서버 시스템 내 저장장치 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격 'NGSFF SSD'를 발표했다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 'NGSFF SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다.

아울러 삼성전자는 16TB 'NGSFF SSD' 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다. 오는 4분기부터 'NGSFF SSD'를 양산할 계획이다.

삼성전자가 이날 함께 발표한 'Z-SSD'는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD 제품이다. 기존 NVMe(Non-Volatile Memory express) SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠르다. 'Z-SSD' 샘플을 통해 현재 여러 업체들과 협력방안을 논의 중이다.

삼성전자는 이날 서밋에서 비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 'Key Value SSD'도 선보였다.

기존 SSD의 경우 다양한 종류·크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용했으나 'Key Value SSD' 기술을 적용하면 별도 전환없이 다양한 데이터를 그대로 저장할 수 있다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고, 향후 AI 및 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응할 것"이라고 말했다.