올해 반도체 시설투자 100조원 규모…삼성전자 '최대'

송고 2017.11.17 08:55 | 수정 2017.11.17 09:23
최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

올해 908억달러 투자 예장…연초 전망 대비 25.6% 상향 조정

삼성전자 260억달러 투자로 '독주'…과잉투자 우려도

올해 글로벌 반도체업계 시설투자액이 100조원에 달할 것으로 전망되는 가운데 삼성전자가 사상 최대 규모의 투자를 통해 후발 업체들을 경제하고 있다.

17일 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 올해 전세계 반도체업체들의 시설투자 규모는 총 908억달러(약 100조원)로 추산됐다.

올해 투자규모는 연초 전망치였던 723억달러 대비 25.6% 상향조정된 것이다.

지난해 113억달러를 투자했던 삼성전자는 올해 260억달러를 다시 쏟아부으면서 전체 투자액의 20% 이상을 차지할 것으로 추정됐다. 삼성전자의 투자액은 인텔과 대만 TSMC의 투자액을 합친 것보다 많은 수치다.

빌 맥클린 IC인사이츠 대표는 "지난 37년간 반도체시장 동향을 조사하고 있는데 지금껏 이런 공격적인 설비투자를 본 적이 없다"면서 "업계 역사상 초유의 일"이라고 말했다.

삼성전자는 올해 3D 낸드플래시 부문에 140억달러를 투자했으며 D램과 파운드리 부문에도 각각 70억달러와 50억달러를 투자한 것으로 추산됐다.

IC인사이츠는 보고서에서 삼성전자의 대규모 설비투자가 장기적으로 업계에 부정적인 영향을 미칠 것이라면서 특히 3D 낸드 플래시 시장에서 SK하이닉스와 마이크론, 도시바, 인텔 등도 설비투자 경쟁에 진입하면서 과잉설비 우려가 커질 것이라고 지적했다.

다른 한편으로는 메모리업계에서 입지 강화를 노리는 중국 업체들의 기를 꺾어 놓으면서 삼성전자와 SK하이닉스 등이 주도하는 시장구도를 유지하게 하는 효과가 있을 것으로 내다봤다.

IC인사이츠는 "중국 신생업체들이 기존의 메모리업체들과의 조인트벤처와 같은 방식으로 획기적인 시도를 하지 않는 한 당장 현재의 글로벌 리더업체와 경쟁체제를 구축하기는 하기는 어려워 보인다"고 분석했다.

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