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삼성, D램·낸드 초격차 "따라올테면 따라와봐"

5세대 V낸드 양산·10나노급 LPDDR5 모바일 D램 개발…최대 2년 격차 확보
신공정 적용 '초고속·초절전' 특성 구현…고용량화 메모리 시장 주도

최다현 기자 (chdh0729@ebn.co.kr)

등록 : 2018-07-17 11:07

▲ 8GB LPDDR5 D램 패키지 이미지.ⓒ삼성전자
글로벌 메모리 반도체 시장을 주도하고 있는 삼성전자가 D램과 낸드플래시에서 '세계 최초' 행진을 이어가며 초격차 전략에 속도를 내고 있다.

삼성전자는 90단대 5세대 V낸드(3D낸드)를 세계 최초로 양산하며 경쟁사들과 최대 2년의 격차를 벌린 데 이어 D램에서도 모바일용 LPDDR5를 개발 완료하며 앞서나가고 있다.

삼성전자는 17일 차세대 스마트폰과 모바일AI 시장을 겨냥한 '10나노급 8Gb LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5)'을 개발하며 LPDDR4 D램을 양산한 지 4년 만에 차세대 D램 시장을 열었다.

이번에 개발된 신제품은 현재 플래그십 스마트폰에 탑재된 'LPDDR4X' 대비 1.5배 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현한 제품이다. 이는 1초에 풀HD 영화(3.7GB) 약 14편 용량인 51.2GB의 데이터를 전송할 수 있는 속도다.

삼성전자는 이미 지난 4월 글로벌 칩셋 업체와 8GB LPDDR 모바일 D램 패키지의 전체 동작 검증을 완료했다. 이는 양산 직전 단계에 도달했다는 것으로 누가 먼저 LPDDR5 D램을 채용할 지가 관전 포인트라는 의미다.

신제품을 통해서는 모바일 고객들에게 UHD 기반 인공지능과 머신러닝을 안정적으로 구현하는 '초고속·초절전·초슬림' 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.

또한 차세대 D램 라인업(LPDDR5, DDR5, GDDR6)을 평택캠퍼스 최신 라인에서 적기 양산할 수 있도록 구축해 수요 증가에 대응해 나갈 방침이다.

▲ 5세대 3차원 낸드.ⓒ삼성전자
삼성전자는 메모리 반도체의 또다른 한 축인 낸드플래시에서도 경쟁사들을 제치고 5세대 제품 양산을 선언했다. 지난 5월 5세대 256Gb 3D V낸드 양산을 시작하고 이어 6월에는 이를 기반으로 한 SSD도 양산에 돌입한 바 있다.

삼성전자는 5세대 V낸드를 양산하면서 3차원 CTF셀을 90단 이상 쌓아 세계 최고 적층기술을 상용화했다고 밝혔다. 차세대 낸드 인터페이스인 'Toggle DDR 4.0 규격'을 처음 적용한 제품으로 기존 4세대 대비 전송 속도는 1.4배 빨라졌다.

특히 단수를 올리면서도 셀 영역의 높이는 낮추는 기술로 4세대 대비 생산성도 30% 이상 높였다. 이를 통해 5세대 V낸드 고객 수요 확대에 맞춰 생산 비중을 빠르게 확대해 슈퍼컴퓨터부터 엔터프라이즈 서버, 모바일 시장까지 고용량화 트랜드를 주도해 나갈 계획이다.

삼성전자는 향후 1Tb(테라비트)와 QLC(Quad Level Cell) 제품까지 V낸드 라인업을 확대해 메모리 시장 변화를 가속화한다는 방침이다.

반도체업계 관계자는 "삼성전자는 D램과 낸드플래시에서 경쟁사들 대비 1~2년의 격차를 유지하고 있다"며 "지난해 11월 2세대 10나노급(1y) 8Gb DDR4 제품 양산으로 확보한 우위를 프리미엄 D램 제품에서 이어나갈 수 있을 것"이라고 말했다.