경계현 삼성전자 부사장 "6세대 V낸드 메모리 내년 양산"

송고 2018.10.18 09:21 | 수정 2018.10.18 09:19
조재훈 기자 (cjh1251@ebn.co.kr)

美 실리콘밸리서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day)' 개최

'256GB 3DS RDIMM', 7.68TB 4비트 SSD, 6세대 V낸드 기술 공개

삼성전자가 내년에 '6세대 V낸드 메모리 양산'에 돌입한다.

경계현 삼성전자 메모리 FLASH 개발실 부사장은 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리 소재 삼성전자 미주법인(DSA)에서 열린 '삼성 테크 데이 2018'에서 "내년 6세대 V낸드 메모리 양산이 예정돼있다"며 이같이 말했다.

경계현 부사장은 "초고속·최단 응답·저전압 설계기술이 적용된 업계 최초 5세대 V낸드 개발로 초격차 기술 리더십을 확보했다"며 "6세대 V낸드 역시 기존 '1-Stack'의 극한 연장과 신개념 설계를 통해 3비트 V낸드 역대 최고 성능을 구현할 계획"이라고 강조했다.

삼성전자는 차별화된 기술로 고객의 가치창출을 극대화 할 수 있는 차세대 반도체 솔루션도 소개했다.

삼성전자 메모리사업부는 서버용 '256GB 3DS RDIMM'과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술 등 차세대 신제품과 신기술을 대거 소개했다.

이번 행사에서 세계 최초로 공개된 '256GB 3DS RDIMM'은 차세대 초고성능·초고용량 'Real Time Analysis 및 인메모리 데이터베이스(In Memory DataBase)' 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 이 제품은 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 '128GB RDIMM' 대비 용량 2배 확대됐으며 소비전력효율은 30% 개선됐다.

장성진 삼성전자 메모리 D램 개발실 부사장은 "지난해 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다"고 말했다.

장성진 부사장은 "향후 EUV공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대해 사업 위상을 높여나갈 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 엔터프라이즈 스토리지향 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD를 공개하며 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자향 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대할 방침이다.

삼성전자는 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와 읽기 속도가 빠르고 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb, MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향도 제시했다.

정재헌 메모리 솔루션 개발실 부사장은 4배 용량으로 가격효율을 2배 높인 2세대 Z-SSD와 신뢰성과 성능을 향상시킨 4비트 서버 SSD 라인업을 공개하며 "5세대 V낸드 기반으로 다양한 임베디드 스토리지와 SSD 등 차별화된 라인업을 적기에 출시하여 시장 성장을 선도하고 있다"고 말했다.

삼성전자는 빅데이터에 특화된 KV(Key Value) SSD, 인공지능 머신러닝용 스마트SSD, 고속 네트워크용 SSD와 스토리지를 결합한 NVMeoF(NVME over Fabric) SSD 등 새로운 솔루션을 제공해 다양한 고객들과의 오픈 이노베이션을 확대해 나갈 예정이다.

한진만 상품기획팀 전무는 "HBM2 D램 사용으로 클라우드 AI에서 최대 성능은 6배 향상됐고 비용측면에서 8배의 절감 효과가 있다"며 "향후 GDDR6 그래픽 D램, LPDDR5 모바일 D램이 차세대 시스템에 탑재되면서 5G, Edge 서버 컴퓨팅 등 새로운 프리미엄 시장을 지속 창출할 것"이라고 예측했다.

삼성전자는 차세대 IT 시장에 최적화된 메모리 기술을 선행 개발해 나가는 한편 평택 라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속 확대해 고객 수요에도 적극 대응할 계획이다.

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