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SK하이닉스, 2세대 10나노급 DDR4 D램 개발

생산성 20% 향상, 전력소비 15% 감축, 전송속도 3200Mbps 구현
'4Phase Clocking' 설계 기술 적용…2019년 1분기 공급 개시

손병문 기자 (moon@ebn.co.kr)

등록 : 2018-11-12 11:00

▲ SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR4 D램

SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

이 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 20% 향상되고 전력 소비도 15% 이상 줄여 업계 최고 수준의 전력 효율을 갖췄다. 데이터 전송 속도도 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적 구현이 가능하다는게 회사측 설명.

특히 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용했다. 데이터 전송시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 유사하다.

SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다.

이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지·증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프' 성능을 강화하는 기술이다.

김석 SK하이닉스 상무(D램 마케팅담당)는 "2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급할 것"이라며 "PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 계획"이라고 전했다.