"인텔 M램 공개로 차세대 메모리 시장 개화 빨라질 것"

송고 2019.03.05 06:00 | 수정 2019.03.05 07:48
이경은 기자 (veritas@ebn.co.kr)

인텔, ISSCC서 22nm 핀펫 STT-MRAM 세부 기술 공개

M램, D램 단점 보완 가능…"인텔, 메모리 시장 영향력 커"

인텔이 차세대 메모리 중 하나인 M램을 공개하면서 관련 시장 개화 속도가 빨라질 것으로 전망된다.

5일 외신과 업계에 따르면 인텔은 지난달 말 열린 ISSCC(국제고체회로학회)에서 22nm 핀펫(FinFET) 공정에 채택하는 임베디드 STT-MRAM(스핀 주입 자화 반전 자기 저항 메모리)에 대한 기술 세부 사항을 공개했다.

M램은 차세대 메모리 중 하나로 전원이 차단되면 저장된 데이터가 지워지는 D램과 달리, 마그네틱 필름의 자성에 따른 저항을 이용해 영구히 데이터를 보존할 수 있다. 업계에서는 M램을 IoT(사물인터넷) 기기 등에 효과적으로 적용할 수 있을 것으로 전망하고 있다.

도현우 NH투자증권 연구원은 "M램, 리램(ReRAM) 등 차세대 메모리는 수십년 전부터 기술 개발이 진행돼 왔다"며 "몇 년 전부터는 실제 양산을 시작한 업체도 나타났다"고 설명했다.

이어 "메모리 표준 기술 선정에 영향력이 큰 인텔이 M램에 관심을 보이면서 시장 개화 속도가 빨라질 것"이라며 "연관 업체로는 에버스핀, 삼성전자, TSMC 등이 있다"고 분석했다.

도 연구원은 "인텔은 MCU(마이크로 컨트롤러)에 내장된 이플래시(eFlash)를 대체하기 위해 M램을 개발 중인 것으로 보인다"며 "삼성전자, TSMC, GF 등이 고객사에게 이플래시 대체용으로 STT-MRAM 제공을 계획 중"이라고 강조했다.

현재 MCU 제조를 위한 공정은 40nm에서 28nm로 변경 중인데 22nm 이하에선 이플래시의 내구성이 저하되고 마스크 수가 15개가 넘어 경제성 문제가 발생할 것으로 업계에서는 보고 있다.

도 연구원은 "이 경우 M램이 대안이 될 수 있다. M램은 또 일부 S램 캐쉬도 대체할 것"으로 내다봤다. 산업용 기계의 S램은 데이터를 보존하기 위해 배터리를 장착해야 하지만 M램은 비휘발성 메모리로 배터리가 필요없기 때문이다.

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