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SK하이닉스, 초고속 차세대 'HBM2E D램' 내년 생산

  • 송고 2019.08.12 11:00 | 수정 2019.08.12 09:11
  • 손병문 기자 (moon@ebn.co.kr)

머신러닝·슈퍼컴퓨터·AI 등 4차산업 기반 시스템 메모리 반도체 활용

SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램

SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램

SK하이닉스가 업계 최고속 'HBM2E D램' 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 50% 이상 끌어올린 고성능 제품이다.

SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현한다. 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다.

이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리하는 속도다. 용량은 단일제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯 머신러닝·슈퍼컴퓨터·인공지능 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다.

메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 기존 방식이 아닌 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩에 수십 ㎛(마이크로미터∙100만분의 1m) 간격 수준으로 장착한다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 "2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장 리더십을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.


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