삼성전자, 올해 최대 70조원 투자 속도내나

내달 한미 정상회담 전후 미국내 약 20조원 규모 제2파운드리 투자계획 발표 가능성

국내 최대 50조원 규모 평택캠퍼스 P3 ‘초격차’ 위해 투자 늦출 수 없는 상황

ⓒEBN 자료사진

삼성전자가 올해 미국과 한국에서 최대 70조원 규모의 투자계획을 발표할 것으로 보인다.

미국 백악관 회의 이후 인텔과 TSMC 등의 글로벌 반도체 업체들이 역대급 투자를 밝히고 있는 가운데 삼성전자도 미국 투자의 고삐를 죌 것으로 관측된다.

또한 이재용 부회장 구속으로 지연되고 있는 경기도 평택캠퍼스 P3 라인에 대한 신규 투자 계획도 ‘초격차’를 벌이기 위해서는 더 이상 늦출 수 없어 이르면 여름께 구체적인 안이 나올 것으로 예상된다.

미국과 한국 공장에 대한 투자 규모는 최소 50조원에서 최대 70조원에 이를 것으로 추정된다.

18일 재계에 따르면 삼성전자는 미국내 170억달러(약 20조원) 규모의 투자 계획을 조만간 발표할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 미국에 제2 파운드리(반도체 위탁생산) 건설을 위해 텍사스주 오스틴 공장 인근과 애리조나, 뉴욕 등을 후보지로 검토해왔다. 1공장이 위치한 오스틴 지역이 유력한 가운데 삼성전자는 텍사스주와 추가 인센티브 협상을 벌이고 있는 것으로 전해졌다.

지난 12일 인텔과 TSMC 등이 백악관 회의 이후 미국내 반도체 투자 계획을 발표함에 따라 삼성전자의 행보도 빨라질 것이란 현지 언론의 관측이 나오고 있다.

게다가 내달 하순 문재인 대통령과 바이든 미국 대통령의 정상회담이 예정돼 있어 삼성전자가 이 시점에 맞춰 투자계획을 공개할 가능성도 점쳐진다.

국내에서는 삼성전자의 평택캠퍼스 제3공장(P3)의 투자계획이 관심사다. 3공장은 연면적 70만㎡ 규모로 단일 반도체 라인 기준 세계 최대 규모다. 전체 투자규모는 P1, P2가 각 30조원 가량이었던 것을 감안하면 40~50조원 이상으로 추정된다.

공사일정을 감안하면 하반기에는 계획이 나와야할 것으로 보인다. 지난해 하반기 기초공사에 이어 현재 철골 골조 공사가 진행중이다.

삼성전자는 이재용 부회장이 국정농단 파기환송심에서 집행유예를 선고받으면 P3 라인 착공을 공식화한다는 방침이었으나 이 부회장의 구속으로 결정이 미뤄지고 있다.

앞서 완공한 제2공장(P2)의 D램 라인이 지낸해부터, 파운드리와 낸드플래시 라인은 하반기부터 본격 생산에 들어간다. 투자계획을 발표한 TSMC와의 ‘초격차’를 벌이기 위해서라도 투자계획을 더 이상 늦추기는 어려운 상황이다.

P3 공장은 올해 외관공사가 마무리되면 내년부터 반도체 장비 반입이 이뤄지고 시험가동을 거치면 2023년부터 본격적인 양산이 시작될 것으로 예상된다.