배경훈 장관, 美 IBM·BNL 방문…양자기술 협력 강화

과학기술정보통신부는 배경훈 장관이 지난 22~23일(현지시간) 미국 뉴욕을 방문해 IBM, 브룩헤이븐 국립연구소(BNL) 등과 양자기술 협력 방안을 논의했다고 24일 밝혔다. 이번 방문은 블랙록과의 협력 양해각서(MOU) 체결을 계기로 이뤄졌다. 

배 장관은 지난 23일 IBM 왓슨 연구소를 찾아 IBM과 한국연구재단, 국가과학기술연구회, 4대 과기원이 참여하는 양자과학기술 협력 MOU를 체결했다. 

협력 범위는 ▲양자인프라 구축 및 서비스 ▲연구개발과 산업 활용 ▲전문인력 양성 등 3대 분야로 Qiskit 기반의 전문인력 양성과 산업별 응용 확대가 추진된다.

이어 열린 간담회는 제이 갬베타 IBM 부사장, 웨이드 데이비스 모더나 CTO, 진 우트키 올스테이트 TD, 김은아 코넬대 교수 등 글로벌 전문가들이 참석해 양자기술의 미래 활용과 협력 방향을 논의했다.

배 장관은 같은 날 미 에너지부 산하 BNL을 방문해 전자-이온 충돌기(EIC) 프로젝트 관련 시설을 시찰하고 양자·AI 등 첨단기술 협력 확대 방안을 논의했다. 

BNL은 7명의 노벨상 수상자를 배출한 연구소로 핵물리·소재과학 대형 연구시설과 함께 에너지부가 지원하는 5개 양자정보과학(QIS) 센터 중 하나를 운영하고 있다.

BNL 연구진은 AI·양자 기술 활용 사례를 소개했고 배 장관은 한국 정부출연연구소를 설명하며 양국 국립연구소 간 협력의 필요성에 공감했다. 

양측은 EIC 프로젝트를 기반으로 AI·양자 기술을 기초연구 분야에 적용하고 美 에너지부와 과기정통부 간 협력 이행약정(IA) 및 협력의향서(SOI) 체결도 검토하기로 했다.

배 장관은 "양자기술은 AI, 신약개발, 금융, 보안 등 산업 전반에서 혁신을 이끌 것"이라며 "미국과의 협력을 통해 인재·기술·인프라에서 상호 보완적 관계를 구축한 것이 성과"라고 말했다.