삼성전자, HBM4 개발 핵심 인력에…특별 보너스 지급

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발 핵심 인력에게 이례적으로 자사주 성과급을 지급했다. 6세대 HBM인 HBM4 핵심 칩 10나노미터(㎚) 6세대 D램(1c D램) 개발에 기여한 공로를 특별 보상한 조치다. 

3일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자는 지난달 30일 이사회를 열고 '자기주식 처분의 건'을 의결했다.

지급일인 지난달 31일 종가 기준으로 평가한 자사주 총액은 5억 1492만 원이다. 주식 수는 임직원별 성과에 따라 차등 지급됐다.

삼성전자가 특정 개발팀에 자사주를 지급한 것은 매우 이례적이다. HBM4에 적용되는 6세대 D램의 성능과 품질을 끌어올린 개발진에 대한 특별 보상으로 풀이된다. HBM은 D램을 수직으로 쌓아 만든 구조이며, 6세대 D램은 HBM4 성능을 좌우하는 핵심 부품이다.

지난해 5월 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장) 취임 직후, 삼성전자는 HBM4 엔비디아 납품을 최우선 과제로 설정하고 6세대 D램의 설계 재검토를 지시했다. 이 D램은 올해 7월 삼성 내부 성능 평가(PRA)를 성공적으로 통과했으며, 현재 엔비디아에 HBM4 샘플 형태로 제공된 상태다.

전 세대인 HBM3E와 달리, 엔비디아는 HBM4에 대해 긍정적 평가를 내린 것으로 알려진다. 엔비디아는 지난달 31일 한국 정부와 기업 간 AI 협력 보도자료에서 "삼성전자는 HBM3E와 HBM4 공급망의 핵심 협력사"라고 명시한 바 있다.

삼성전자는 6세대 D램을 선제적으로 도입하며 업계 최고 수준인 11Gbps 데이터 이동 속도를 달성했다. 1c D램 기반 HBM4 시제품은 고객사를 대상으로 이미 출하한 상태다.