반도체 사업은 전년 동기 대비 메모리의 경우 D램 가격이 하락해 실적이 감소했고 시스템반도체는 고화소 이미지센서와 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩 수요 증가로 이익이 증가했다.
4분기 메모리는 서버 고객사의 지속적인 수요 증가와 함께 5G 영향에 따른 주요 응용처의 수요 확대로 견조한 수요 증가세를 보였다.
삼성전자는 서버용 고용량 제품과 그래픽용 GDDR6 등 차별화된 제품 판매 확대를 통해 시장 리더십을 강화하고 수익성을 제고했다.
올해 1분기 메모리는 모바일과 서버 등 일부 수요는 견조하나 계절적 비수기의 영향으로 전반적인 수요 하락이 예상된다.
삼성전자는 1y나노 D램 등 미세 공정 전환을 확대해 원가 경쟁력을 강화하고 서버용 고용량 제품과 모바일용 LPDDR5 제품 수요에 적극 대응할 계획이다.
올해는 고용량 스토리지 등 차별화된 제품 판매를 확대하고 1z나노 D램과 6세대 V낸드 공정 전환을 통한 공정 및 원가 경쟁력 강화에 주력할 계획이다.
시스템LSI는 4분기 모바일 시장의 계절적 성수기 효과가 감소하면서 전분기 대비 실적이 줄었다.
올해 1분기는 주요 고객사의 플래그십 스마트폰에 탑재될 AP, 이미지센서, DDI 등 주요 부품의 공급을 확대해 실적 개선을 추진할 예정이다. 올해는 5G 시장 성장과 고화소 센서 채용 확대에 따른 고객들의 수요에 적극 대응할 방침이다. 파운드리는 4분기 모바일 5G 칩, 고화소 이미지센서, 중국의 HPC 칩 수요가 증가해 견조한 실적을 달성했다.
올해 1분기는 5G 칩 공급 확대를 위한 생산 최적화에 집중하는 한편 4나노 공정 개발을 완료할 계획이다. 올해는 8나노 컴퓨팅칩 양산 본격화 및 5G칩 수요 증가로 두 자릿수의 매출 증가가 기대된다.
또 4나노 공정 제품 설계 완료, 5나노 공정의 고객·응용처 다변화를 통해 미래 성장 기반 마련에도 중점을 둘 예정이다.
삼성전자는 지난해 반도체에 22조6000억원 규모의 시설투자를 집행했다. 2018년 대비 반도체는 메모리의 경우 지난해 공정 전환에 집중하면서 투자가 감소됐고 파운드리는 EUV 7나노 등 미세 공정을 적용하기 위한 설비 증설로 투자가 늘었다.
올해 투자는 수요 변동 상황에 맞춰 탄력적으로 대응할 계획이다. 메모리의 경우 중장기 수요 대응을 위한 인프라 투자는 지속하고 설비투자는 시황 회복 추이에 맞춰 대응할 방침이다. 더불어 시스템반도체와 디스플레이, 인공지능(AI), 5G와 같은 미래 성장 사업의 중장기 경쟁력 강화를 위한 투자는 계획대로 진행할 예정이다.
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