SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장.[출처=SK하이닉스]
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장.[출처=SK하이닉스]

SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.

25일 SK하이닉스에 따르면 용인 반도체 클러스터에 건설되는 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.

SK하이닉스는 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축 허가가 승인됨에 따라 일정을 앞당기게 됐다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라부지 12만평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 1기 팹은 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

또 클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

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