美 마이크론, 6세대 10나노급 D램 시제품 출하…삼성·SK와 경쟁 격화

미국 메모리 반도체 업체 마이크론이 차세대 10나노(㎚)급 6세대 D램 시제품을 고객사에 출하하며 글로벌 시장 1·2위 업체인 삼성전자, SK하이닉스와의 경쟁이 한층 치열해지고 있다.

마이크론은 26일 자사 홈페이지를 통해 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔, AMD 등 주요 고객사에 공급했다고 발표했다. 1γ 공정은 업계가 통상 ‘1c 공정’으로 부르는 6세대 10나노급 D램으로, 향후 고객사 검증이 마무리되는 대로 대량 양산에 들어갈 것으로 전망된다.

이번 제품은 최대 9200MT/s의 데이터 전송 속도를 구현하며, 이전 세대 대비 처리 속도를 약 15% 끌어올렸다. 전력 소모량은 20% 이상 절감해 데이터센터 등에서 요구되는 에너지 효율을 높였다는 평가다. 특히 마이크론은 6세대 D램 개발 과정에 극자외선(EUV) 노광 장비를 처음으로 도입해 웨이퍼당 저장용량(비트)을 기존보다 30% 이상 늘리는 데 성공했다.

SK하이닉스는 이미 지난해 8월 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다. 이후 하반기에는 1c 양산성도 확보했으며, 올해 하반기부터 일반 D램에 본격 적용할 계획이다. SK하이닉스는 DDR5뿐 아니라 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 등의 제품에도 6세대 공정을 활용해 경쟁력을 높인다는 방침이다.

한편 삼성전자는 1c 공정을 HBM4에 적용하기 위해 칩 크기를 키우고 안정성 개선을 목표로 재설계를 진행 중인 것으로 알려졌다.