[출처=SK하이닉스]
[출처=SK하이닉스]

인공지능(AI) 확산이 글로벌 메모리 시장의 판도를 바꿀 전망이다. AI 학습·추론용 고성능 메모리 수요가 급증하면서 D램·고대역폭 메모리(HBM)·낸드 모두 한층 진화한 기술 경쟁에 돌입하고 있다.

6일 반도체 업계 및 테크인사이츠의 '2026 메모리 전망' 보고서에 따르면 내년 메모리 시장은 AI 중심 수요와 제한된 공급 환경 속에서 강력한 성장세를 이어갈 전망이다.

D램 기술은 10나노급 이하 D1c·D1-감마 공정으로 확장되며, AI용 고성능·저전력 제품이 시장 성장을 견인한다. 특히 HBM4와 차세대 D램은 AI 가속기와 데이터센터 중심으로 수요가 집중될 전망이다.

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체들은 6F²·4F² 셀 구조, 3D D램, IGZO(산화물 반도체) 채널 소재를 도입하며 성능과 전력 효율을 동시에 개선하고 있다.

HBM(고대역폭 메모리)과 HBF(High-Bandwidth Flash)는 AI 가속기, HPC(고성능 컴퓨터), 대규모 데이터센터에 필수적인 고성능 메모리로 자리잡고 있다. 16Hi HBM4 모듈과 LPW D램, SoC-in-Memory(소캠) 같은 혁신 기술이 2026년 상용화될 예정이다.

키오시아와 샌디스크가 개발 중인 HBF 기술은 AI 엣지 디바이스에서도 HBM을 대체할 수 있는 잠재력을 갖췄다는 평가다.

낸드플래시 시장은 하이브리드 본딩, 신규 WL 소재, 계단 없는 WLC 구조 등 첨단 공정 혁신이 본격화되고 있다. 삼성전자와 마이크론, 중국 YTMC는 이미 200단대 제품을 출시했으며 SK하이닉스도 300단대 3D 낸드를 곧 선보일 예정이다.

업계는 장기적으로 1000단 이상 제품 개발도 가능하다고 전망한다. 이는 설계 구조 ·공정 장비·신소재 혁신이 결합될 때 실현 가능한 수준이다.

미국 정부는 내년에도 AI 메모리 및 첨단 D램·낸드 장비의 대(對)중국 수출 제한을 유지할 것으로 전망된다. 이에 따라 YMTC, CXMT, JHICC 등 중국 주요 반도체 업체들은 하이브리드 본딩 등 자체 기술 개발을 강화하며 기술 자립에 속도를 내고 있다.

테크인사이츠는 "AI 중심의 데이터 경제가 본격화되면서 메모리 산업의 경쟁 축이 속도·전력 효율·확장성으로 이동하고 있다"고 분석했다.

내년 메모리 시장은 D램, HBM, 낸드 전 부문에서 강한 성장세를 보이겠지만, DDR4 및 일반 낸드 공급 부족, 소비자용 PC·스마트폰 수요 둔화는 일부 제약 요인이 될 수 있다고 보고서는 내다 봤다.

반도체 업계 관계자는 "내년은 AI와 데이터 중심 경제 시대에 맞춰 메모리 기술 혁신과 공급 전략이 본격 시험대에 오르는 해가 될 전망"이라며 "성능·효율·확장성을 선점한 기업이 차세대 글로벌 메모리 경쟁의 승자가 될 것"이라고 전망했다.

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