[제공=삼성전자]
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삼성전자가 인공지능(AI), 6G, 차세대 반도체 등 신기술 사업 인재들을 위주로 임원 승진 인사를 단행했다.

삼성전자는 29일 부사장, 상무, 펠로우, 마스터에 대한 2025년 정기 임원 인사를 추진했다. 부사장 35명, 상무 92명, 마스터 10명 등 총 137명을 승진시켰다.

이번 인사는 현재의 경영 위기 상황을 극복하기 위해 성과주의 원칙 하에 검증된 인재 중심으로 세대교체를 추진하는 등 인적 쇄신을 단행했다는 게 핵심이다. 

특히 신성장 동력 강화를 위해 소프트웨어·신기술 분야 인재를 다수 승진 배치, 미래 성장을 가속화할 기반을 마련했다는 평이다.

DX부문 CTO SR 차세대통신연구센터 부센터장 박정호 부사장은 5G 선행기술 개발·상용화 분야에서 성과를 창출해온 통신분야 전문가로, AI 기술을 적용한 차세대 통신기술 개발과 6G 에코시스템 구축 등을 리딩했다.

DX부문 MX사업부 스마트폰S/W PL2그룹장 이형철 상무는 MX 제품군의 App, System 등 다년간의 S/W 상품화 개발 경험을 기반으로 Galaxy AI 개발 과제 주도, 폴더블 제품의 S/W 기능 완성도를 높였다.

DX부문 DA사업부 서비스S/W그룹장 이문근 상무는 생활가전 제품의 폭넓은 S/W 개발 경험을 바탕으로 AI 서비스 기능 강화, 제품간 연결성 고도화를 통한 서비스 확대 등 고객경험을 지속 개선했다는 공로를 인정 받았다.

DX부문 CTO SR Language Intelligence팀 김상하 상무는 자연어 처리 및 기계학습 분야 전문가로 AI 기반의 통·번역 기술 개발을 통해 Galaxy AI를 상용화하고, 생성형 AI 모델을 개발해 업무 생산성 향상에 기여했다.

DX부문 MX사업부 Health전략그룹장 최준일 상무는 Health 관련 업계와 기술 이해도가 풍부한 사업 기획·전략 전문가로 AI 기반의 삼성헬스 주요 기능을 기획, 적용해 사업 경쟁력을 확보했다는 평이다.

SAIT Device Research Center장 김용성 부사장은 차세대 반도체 물질/공정 전문가로 신물질 스크리닝 플랫폼 개발, Memory/Logic向 물질 발굴 및 공정 개발을 통해 기술한계 극복에 기여했다.

DS부문 메모리사업부 DRAM PA3그룹 채교석 상무는 DRAM 제품 소자 전문가로 DRAM 소자 특성 개선 및 양산성 확보를 주도하며 업계 최선단 D1b 제품 및 세계 최고용량 D1b 32Gb DDR5 제품 개발을 리딩했다.

DS부문 메모리사업부 Flash설계1그룹 박일한 상무는 Flash 제품 설계 전문가로 V-NAND 제품 Core 회로 설계 기술력을 보유하였고 고(高)용량 QLC V-NAND 제품 Biz 확대를 위한 Cell 특성 및 신뢰성 확보에 기여했다.

DS부문 S.LSI사업부 AI SOC-P/J 김우일 상무는 SOC System IP 설계 전문가로 Mobile/Auto/AI SOC System IP 최적화를 통해 SOC 성능 향상 및 안정성 확보를 주도하며 기술 경쟁력 강화를 추진했으며, DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 문광진 상무는 Bonding/3D Integration 기술 전문가로 차세대 제품向 Wafer Bonding 기술 개발을 주도, 3차원 구조 제품 경쟁력을 확보했다.

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