SK하이닉스, 美 TSMC 심포지엄서 'HBM4' 공개… D램 1위 '굳히기'

SK하이닉스가 이달 미국에서 열리는 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC의 연례 기술 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 선보이며 'AI 메모리 선두 주자'의 입지를 더욱 공고히 한다. 최근 D램 시장 점유율에서 사상 처음으로 삼성전자를 앞질렀다는 분석까지 나오는 가운데, HBM 기술 리더십을 바탕으로 격차를 더 벌리는 모양새다.

10일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 TSMC 주최로 열리는 'TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄'에 참가한다. 이 행사는 TSMC가 매년 주요 고객사 및 파트너사를 초청해 최신 파운드리 기술과 생태계 협력 성과를 공유하는 핵심 행사다.

SK하이닉스는 이 자리에서 6세대 HBM 제품인 HBM4와 함께 최첨단 패키징 기술을 선보일 계획이다. 지난해 같은 행사에서 HBM3E(5세대 HBM)를 소개하며 기술력을 과시한 데 이어, 올해는 한 단계 더 진화한 HBM4를 통해 AI 메모리 시장에서의 위상을 재확인한다는 전략이다.

특히 HBM4 개발 및 양산을 위해 TSMC와 진행 중인 긴밀한 협력 관계가 강조될 전망이다. 양사는 지난해 4월 기술 협력 양해각서(MOU)를 체결했으며, HBM4의 성능과 전력 효율 극대화를 위해 제품의 두뇌 역할을 하는 로직 다이(베이스 다이) 생산에 TSMC의 선단 파운드리 공정을 활용하기로 했다.

SK하이닉스는 HBM4 개발 속도전에서도 성과를 내고 있다. 지난달에는 업계 최초로 HBM4 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했는데, 이는 당초 계획보다 수개월 이상 앞당겨진 것이다. 회사는 올해 하반기 HBM4의 본격적인 양산을 목표로 하고 있다.

이러한 HBM 기술 경쟁력은 SK하이닉스의 시장 지위 격상으로 이어지고 있다는 분석이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1분기 전 세계 D램 시장에서 SK하이닉스는 36%의 점유율을 기록하며 34%에 그친 삼성전자를 사상 처음으로 제치고 1위에 올라섰다.

이는 SK하이닉스가 70%의 압도적인 점유율을 차지하고 있는 HBM 시장에서의 성과가 크게 기여한 결과로 풀이된다.

한편 TSMC는 이달 미국 행사를 시작으로 오는 6월까지 대만, 유럽, 일본, 중국 등에서도 순차적으로 기술 심포지엄을 개최할 예정이다.