![[출처=SK하이닉스]](https://cdn.ebn.co.kr/news/photo/202501/1649503_661850_5644.jpeg)
SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4 12단 제품을 올해 양산 준비를 마치는 것에 이어 차세대 제품인 HBM4 16단 또한 내년 하반기 납품을 목표로 개발하고 있다고 밝혔다.
23일 진행된 2024년 4분기 실적발표에서 SK하이닉스는 이같이 밝혔다. SK하이닉스는 HBM4의 경우 기술 안정성이 입증된 1b 공정 D램으로 개발하고 있다며, 올해 개발과 양산준비를 완료할 것이라고 설명했다. 1b 공정은 현재 D램 메모리에서 사용되고 있는 최선단 공정이다.
그러면서 HBM4 16단 제품의 경우 고객 요구의 맞춰 내년 하반기 공급을 예상하고 있다고 말했다. 또한 HBM4 16단 제품에 사용되는 패키징 기술은 이전 세대인 HBM3E 제품에 사용됐던 어드밴스드 MR-MUF를 적용할 수 있을 것이라고 덧붙였다.
어드밴스드 MR-MUF는 칩 제어 기술과 열 방출을 개선한 SK하이닉스의 패키징 기술이다.
SK하이닉스는 지난해 4분기 역대 최고 실적을 당성하며 새 역사를 썼다. SK하이닉스의 4분기 매출과 영업이익은 19조7670억원, 8조828억원으로 전분기 대비 각각 12%, 15% 성장했다.
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